AZ® nLOF™ 2000 是一种来自默克的 PGMEA 溶剂型光刻胶。它比 HSQ 更敏感，并且具有非常好的热稳定性。nLOF 是一种对电子束也很敏感的光刻胶，并且由于它是一种化学放大的光刻胶，因此需要进行曝光后烘烤。有关详细信息，请参阅流程页面。具有良好的干法刻蚀选择性，是SiO2等离子刻蚀的良好选择比。对于光刻，我们得到 1.3µm 级的 nLOF，这对于大多数电子束光刻应用来说太厚了，因此我们用 PGMEA 将其 1:1 稀释后使用。

高灵敏度：典型的大面积结构曝光剂量在40uc/cm2左右，对于小特征结构将需要大约140-200µC/cm2。剂量对曝光前和曝光后的烘烤温度极为敏感。

分辨率：它的分辨率有限，我们目前能达到的最好分辨率是70nm左右。

稳定性：这种光刻胶曝光后稳定性较高，它不会很好地溶解在去除剂中，因此对于剥离，我们建议使用去除剂和氧等离子体。

在处理之前从 nLOF 架子上选择烧杯。用少量显影剂 (AZ726 MIF) 冲洗。

当您将空烧杯放入废水中后，用水冲洗烧杯并将其放入 nLOF 回收托盘（位于水/底座湿工作台上）。

如果抗蚀剂膜厚度和交联度不太高， NMP或无毒替代品DMSO等溶剂是合适的去胶剂。通常，在非常厚或强交联的情况下，可能需要将这些去除剂加热至 60 – 80°C 或/和超声波处理以加快光刻胶的去除。

注意：AZ nLOF 2000系列光刻胶对紫外和电子束感光，因此这款胶可以做混合光刻，在电子束曝光中需要在黄光下使用。

本文整理自网络：https://www.epfl.ch/research/facilities/cmi/equipment/ebeam-lithography/raith-ebpg5000/ebeam-resists-available-in-cmi/nlof-resist/如果您对上述技术兴趣的话，欢迎与我沟通交流。 如果您想了解更多光刻及光刻胶知识库，欢迎关注Litho+wiki，获取更多信息……

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